Asas unsur unsur semikonduktor sentiasa berkembang. Setiap ciptaan baru dalam bidang ini, sebenarnya, mengubah keseluruhan idea sistem elektronik. Keupayaan reka bentuk litar sedang berubah, peranti baharu berdasarkannya muncul. Banyak masa telah berlalu sejak penciptaan transistor pertama (1948). Struktur "p-n-p" dan "n-p-n", transistor bipolar, telah dicipta. Dari masa ke masa, transistor MIS juga muncul, beroperasi pada prinsip menukar kekonduksian elektrik lapisan semikonduktor berhampiran permukaan di bawah tindakan medan elektrik. Oleh itu, nama lain untuk elemen ini ialah medan.
Singkatan MIS (metal-dielectric-semiconductor) mencirikan struktur dalaman peranti ini. Sesungguhnya, pintu gerbangnya diasingkan dari longkang dan sumber oleh lapisan tidak konduktif yang nipis. Transistor MIS moden mempunyai panjang get 0.6 µm. Hanya medan elektromagnet boleh melaluinya - inilah yang mempengaruhi keadaan elektrik semikonduktor.
Mari kita lihat cara FET berfungsi dan ketahui apakah perbezaan utamanya daripadabipolar "abang". Apabila potensi yang diperlukan muncul, medan elektromagnet muncul pada pintunya. Ia menjejaskan rintangan persimpangan punca longkang. Berikut ialah beberapa faedah menggunakan perkakas ini.
- Dalam keadaan terbuka, rintangan peralihan sumber saliran adalah sangat kecil, dan transistor MIS berjaya digunakan sebagai kunci elektronik. Contohnya, ia boleh memacu penguat kendalian dengan memotong beban atau mengambil bahagian dalam litar logik.
- Juga patut diberi perhatian ialah galangan input tinggi peranti. Parameter ini agak relevan apabila bekerja dalam litar arus rendah.
- Kapasiti rendah persimpangan sumber saliran memungkinkan untuk menggunakan transistor MIS dalam peranti frekuensi tinggi. Tiada herotan dalam penghantaran isyarat semasa proses.
- Pembangunan teknologi baharu dalam penghasilan unsur telah membawa kepada penciptaan transistor IGBT yang menggabungkan kualiti positif unsur medan dan bipolar. Modul kuasa berdasarkannya digunakan secara meluas dalam pemula lembut dan penukar frekuensi.
Apabila mereka bentuk dan bekerja dengan elemen ini, ia mesti diambil kira bahawa transistor MIS sangat sensitif kepada voltan lampau dalam litar dan elektrik statik. Iaitu, peranti mungkin gagal apabila menyentuh terminal kawalan. Apabila memasang atau membuka, gunakan pembumian khas.
Prospek untuk menggunakan peranti ini sangat baik. Terima kasih kepadasifat uniknya, ia telah menemui aplikasi yang meluas dalam pelbagai peralatan elektronik. Trend inovatif dalam elektronik moden ialah penggunaan modul IGBT kuasa untuk operasi dalam pelbagai litar, termasuk litar aruhan.
Teknologi pengeluaran mereka sentiasa dipertingkatkan. Pembangunan sedang dijalankan untuk menskalakan (mengurangkan) panjang pengatup. Ini akan meningkatkan prestasi peranti yang sudah baik.
